特許

J-GLOBAL ID：200903047809041389

単結晶シリコンの製造方法および製造装置

発明者： 前田 進 ,  安部 啓成 ,  寺嶋 一高 ,  中西 秀夫
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社 ,  三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  科学技術振興事業団 ,  東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 村上 友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-368276
公開番号（公開出願番号）：特開平11-199365
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月27日
要約：

【要約】【目的】 シリコン溶液に混入する酸素量を低減させ、もって低酸素濃度の単結晶シリコンを製作するとともに、単結晶シリコンの製造歩留まりを向上させることのできる単結晶シリコンの製造方法および製造装置を提供することを目的とする。【構成】 石英るつぼ14に投入された多結晶シリコンを加熱し、これを溶融させた後に溶融シリコン34の自由表面36を覆い、石英るつぼ14の溶解により生じる酸素を溶融シリコン34内に封じ込める。そして酸素と溶融シリコン34との反応により石英るつぼ14と溶融シリコン34との界面に結晶化石英40を形成し、当該結晶化石英40の形成後は自由表面36の覆いを外し、単結晶シリコン42の引上げを行う。

請求項（抜粋）：

石英るつぼに投入された多結晶シリコンを加熱し、これを溶融させた後に単結晶シリコンの引上げをおこなう単結晶シリコンの製造方法であって、前記石英るつぼと溶融シリコンとの界面に結晶化石英を形成した後に、前記単結晶シリコンの引上げを行うことを特徴とする単結晶シリコンの製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 H ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単結晶の無転位収量の改善方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-154337   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド, ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 単結晶成長方法及び単結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-131868   出願人：住友金属工業株式会社
• シリコン単結晶引上装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-248984   出願人：川崎製鉄株式会社
• 単結晶体の製造方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-000340   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社