特許
J-GLOBAL ID：200903047809216383
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-362988
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129684
出願日： 2003年10月23日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：
【課題】吸収が少なく、成長層上の表面が荒れることがなく、結晶性のよい発光層の成長ができ、放熱性に優れ、発光効率が高く、格子不整合が少なく、かつ高出力な半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型基板101と、n型基板101の表面上に形成された反射層103と、その上に形成されたn型クラッド層104,105と、その上に形成された発光層106と、その上に形成されたp型クラッド層107とを備え、反射層103およびn型クラッド層104は、n型基板101の表面上に成長させたn型コンタクト層102に、イオン注入法により金属化合物を注入して形成されたものであることを特徴とする半導体発光素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型基板と、
前記第1導電型基板の表面上に形成された反射層と、
前記反射層上に形成された第1導電型クラッド層と、
前記第1導電型クラッド層上に形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第2導電型クラッド層と
を備え、
前記反射層および前記第1導電型クラッド層は、前記第1導電型基板の表面上に成長させた第1導電型半導体層に、イオン注入法により金属化合物を注入して形成されたものであることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA33
, 5F041AA40
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA71
, 5F041CB11
出願人引用 (1件)
-
発光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-275384
出願人：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
前のページに戻る
