特許
J-GLOBAL ID：200903047811761828
ダイヤモンド半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-201403
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057904
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 600°C以上の高温環境下でも長期間に亘って安定した素子の動作特性を確保することができ、耐熱性及び耐久性が優れたダイヤモンド半導体装置を提供する。【構成】 窒化珪素基板1上にアンドープの下地絶縁性ダイヤモンド層2が形成されており、この下地絶縁性ダイヤモンド層2上に半導体ダイヤモンド層3が形成されている。なお、この半導体ダイヤモンド層3を被覆するようにして、アンドープの絶縁性ダイヤモンド膜4及び窒化珪素膜5からなる積層膜が絶縁保護膜として形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体材料としてダイヤモンドを使用した半導体素子の表面が絶縁保護膜で被覆されたダイヤモンド半導体装置において、前記絶縁保護膜が、前記半導体素子の表面に形成された絶縁性ダイヤモンド膜と、この絶縁性ダイヤモンド膜上に形成された窒化珪素膜との積層膜により構成されていることを特徴とするダイヤモンド半導体装置。
IPC (4件)：
H01C 7/04
, H01L 21/02
, H01L 21/314
, H01L 37/00
