特許
J-GLOBAL ID:200903047817965271

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 稔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-297429
公開番号(公開出願番号):特開平11-135714
出願日: 1997年10月29日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】 半導体チップと所定の対象物とをその特性を損なうことなくワイヤボンディングによって電気的な接続が図れるようにする。【解決手段】半導体チップ3と所定の接続対象物(フイルム基板2または第3の半導体チップ5)とが金属線ワイヤW1,W2を介して電気的に接続された半導体装置1において、上記半導体チップ3および/または上記接続対象物2,5のワイヤボンディング部位を貴金属によって形成した。好ましくは、上記半導体チップ3および/または上記接続対象物2,5のワイヤボンディング部位は、金製のバンプ30a,40aであり、上記金属線ワイヤは、金製である。上記半導体チップ3および/または上記接続対象物5は、強誘電体メモリチップである。
請求項(抜粋):
半導体チップと所定の接続対象物とが金属線ワイヤを介して電気的に接続された半導体装置であって、上記半導体チップおよび/または上記接続対象物のワイヤボンディング部位が貴金属によって形成されていることを特徴とする、半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-114545
  • 特開平4-294552
  • 特開平2-094533

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