特許
J-GLOBAL ID：200903047827715516
磁気記憶装置の製造方法および磁気ヘッドの製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246374
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060169
出願日： 2001年08月15日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：
【要約】【課題】 エッチング時に発生する再堆積による磁性層間のトンネルバリア層のショートを防止し、製造工程での歩留りの向上を図る。【解決手段】 第1のエッチングにより強磁性トンネル接合素子18が形成される積層膜15をエッチングして、形成しようとする強磁性トンネル接合素子18よりも一回り大きい強磁性トンネル接合素子パターン16を形成する工程と、前記強磁性トンネル接合素子パターン16の側周に第1の絶縁層17を形成する工程と、第2のエッチングにより、前記強磁性トンネル接合素子パターン16の側周をエッチングして強磁性トンネル接合素子18を形成する工程と、前記強磁性トンネル接合素子18の側周に第2の絶縁層20を形成する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
第1のエッチングにより強磁性トンネル接合素子が形成される積層膜をエッチングして、形成しようとする強磁性トンネル接合素子よりも一回り大きい強磁性トンネル接合素子パターンを形成する工程と、前記強磁性トンネル接合素子パターンの側周に第1の絶縁層を形成する工程と、第2のエッチングにより、前記強磁性トンネル接合素子パターンの側周をエッチングして強磁性トンネル接合素子を形成する工程と、前記強磁性トンネル接合素子の側周に第2の絶縁層を形成する工程とを備えていることを特徴とする磁気記憶装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, G11B 5/39
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5D034AA02
, 5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA07
, 5F083FZ10
, 5F083GA27
, 5F083GA30
, 5F083PR04
