特許
J-GLOBAL ID：200903047830765419
エピタキシャル成長層の評価方法及びプロセス評価用テストパターン構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135564
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349925
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 エピタキシャル成長中に成長層の層厚を容易に評価することができるエピタキシャル成長層の評価方法を得る。【構成】 その表面に、所定方向に延びるストライプ状の凸部12を形成した基板1上にエピタキシャル成長層20を成長させ、この成長中に上記ストライプ状の凸部12上に光21を入射させ、上記ストライプ状の凸部からの回折光22,23をモニタして、エピタキシャル成長層20の層厚を評価する。
請求項（抜粋）：
基板の第1の主面上もしくは該基板の第1の主面上に形成された半導体層上にエピタキシャル成長されるエピタキシャル成長層の層厚を評価するエピタキシャル成長層の評価方法において、上記基板の第1の主面上もしくは上記半導体層上に、所定方向に延びるストライプ状の凸部を形成する工程と、該ストライプ状の凸部が形成された上記基板の第1の主面上もしくは上記半導体層上にエピタキシャル成長層を成長させ、この成長中に上記ストライプ状の凸部上に光を入射させ、上記ストライプ状の凸部からの回折光をモニタして、エピタキシャル成長層の層厚を評価する工程とを含むことを特徴とするエピタキシャル成長層の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/205
, H01S 3/18
