特許

J-GLOBAL ID：200903047831960673

高い臨界電流密度を有する酸化物超電導体およびその製造方法

発明者： 森田 充 ,  手嶋 英一
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 萩原 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-183544
公開番号（公開出願番号）：特開平6-219739
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：

【要約】【目的】 本発明は大型の高い臨界電流密度を有するバルク材料とその製造方法を提供する。【構成】 前駆体中に穴開けまたは切れ込み加工を施した後、超電導相の結晶を成長させる。【効果】 酸素を材料内部まで供給することができるため、材料全体が高い臨界電流密度を有する大型バルクが得られる。

請求項（抜粋）：

RE(Yを含む希土類元素の1種類またはそれらの組み合わせ)、Ba、Cuからなる20cm3 以上の体積を有するバルク酸化物超電導体において、超電導相であるREBa2 Cu3 O7-X の結晶中に非超電導相であるRE2 BaCuO5 が体積率で5〜50%分散しており、かつRE2 BaCuO5 粒の95個数%が10μm以下に微細分散した組織を有しかつ、穴または切り込みを有することを特徴とする高い臨界電流密度を有する酸化物超電導体。

IPC (7件)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01B 13/14 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  C04B 35/60 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565