特許
J-GLOBAL ID：200903047832290876
絶縁膜の不良解析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-085339
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288349
出願日： 1995年04月11日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：
【要約】【目的】TEGを用いたMOS型半導体素子等の絶縁膜の不良解析方法において、破壊不良箇所の特定が簡便になされる方法を提供する。【構成】先ず、MOSキャパシターからなるTEG1と直列に、付加抵抗2を接続して直列回路を形成し、この回路に直流電源3から破壊電圧を与えて、TEG1の酸化膜の加速破壊試験を行う。次に、この加速破壊試験で不良と判定されたTEGの電流-電圧特性を測定し、これに基づいてTEGの酸化膜の破壊箇所を特定する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を有する評価対象TEGと直列に、当該TEGの絶縁膜の当初の絶縁抵抗値より十分に小さく、且つ前記TEGの絶縁膜に破壊不良が生じ始めた時に十分に大きな電圧降下が生じる程度に大きな抵抗値を有する付加抵抗を接続して直列回路を形成し、前記直列回路に電圧を与えて当該絶縁膜の加速破壊試験を行った後に、この加速破壊試験により不良と判定されたTEGに徐々に電圧をかけて電流-電圧特性を測定することを二回以上続けて行い、一回目および二回目以降の電流-電圧特性曲線からなる測定パターンに基づいて当該TEGの絶縁膜の破壊状態を判定することを特徴とする絶縁膜の不良解析方法。
FI (2件)：
H01L 21/66 Q
, H01L 21/66 V
