半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-283417
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121394
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】異なる不純物プロファイルを有する活性領域を形成する場合、不純物プロファイルの種類だけリソグラフィ工程が必要でコストが増加するという問題があった。【解決手段】半導体基板101の複数の活性領域111〜114のうち、領域111及び113の上部が開孔され、領域112及び114の上部がラインアンドスペース状の形状を有するレジスト膜104及び104a、105及び105aが形成され、これをマスクとしてP型及びN型の不純物イオンを注入することで、それぞれ1回のリソグラフィ工程で異なる不純物プロファイルを有する領域111及び112、領域113及び114を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1、第2、...、第n(nは2以上の整数)の領域の上部でそれぞれ異なるパターンを有するマスクを形成する工程と、前記マスクを通して、前記第1、第2、...、第nの領域でそれぞれ不純物濃度が異なるように前記半導体基板の表面部分に不純物を注入する工程と、前記半導体基板にアニール処理を行い、前記第1、第2、...、第nの領域にそれぞれ注入された前記不純物を拡散させ、かつ平面内において均一化させる工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/266 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (2件)：

H01L 21/265 M , H01L 27/08 321 B

前のページに戻る