特許
J-GLOBAL ID：200903047838667599
イメ-ジセンサのフォトダイオ-ド
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184261
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031455
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】フォトダイオードの単位面積を増大させ集積度と光感度を増大させる。【解決手段】本発明は、集積度が維持されながらフォトダイオードの単位面積を増大させ集積度と光感度を増加させることのできるイメージセンサのフォトダイオードを提供することを目的とし、外部からの光を感知するためのCMOS(ComPlementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサのフォトダイオードにおいて、フォトダイオードのPN 接合面積を増加させるための不均一な表面を含み、増加されたPN接合面積は上記フォトダイオードの光感度を改善させる。
請求項（抜粋）：
【請求項 1】外部からの光を感知するためのCMOSイメージセンサのフォトダイオードにおいて、PN接合面積を増加させるための不均一な表面を含み、増加されたPN接合面積によって光感度を改善させることを特徴とするCMOSイメージセンサのフォトダイオード。【請求項 2】上記フォトダイオードは、第1導電型の半導体層、光感知領域である上記半導体層が一定の深さに蝕刻された少なくとも一つのトレンチ、上記トレンチの側面及び底面に形成された第1導電型の第1拡散領域、及び上記第1導電型の第1拡散領域下部に形成された第2導電型の第2拡散領域を含み、上記第1拡散領域の一部が上記半導体層と直接的に接触する請求項1に記載のフォトダイオード。【請求項 3】上記トレンチは、トレンチの入口部位が、底面に対してより広くなるように側壁が傾斜していることを特徴とする請求項2に記載のフォトダイオード。【請求項 4】上記半導体層は、半導体層の下部に半導体層よりも高い第1導電型のドーパント濃度を持つ半導体基板を含むことを特徴とする請求項3に記載のフォトダイオード。【請求項 5】上記半導体層は、上記半導体基板上にその厚さが5〜10μmに成長されたエピタキシャル層であることを特徴とする請求項4に記載のフォトダイオード。【請求項 6】トレンチが、約0.5〜1.0μmの深さを持つことを特徴とする請求項3記載のフォトダイオード。【請求項 7】上記フォトダイオードが、第1導電型の半導体層、光感知領域である上記半導体層が突出された少なくとも一つの突出部、上記突出部の上記半導体層表面の下部に形成された第1導電型の第1拡散領域、及び上記第1導電型の第1拡散領域下部に形成された第2導電型の第2拡散領域を含み、上記第1拡散領域の一部が上記半導体層と直接的に接触することを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード。【請求項 8】上記突出部は、上記突出部の上段部が、その下段部に対して狭くなるように側壁が傾斜していることを特徴とする請求項7に記載のフォトダイオード。【請求項 9】上記半導体層は、上記半導体層の下部に、上記半導体層より高い第1導電型のドーパント濃度を持つ半導体基板を含むことを特徴とする請求項8に記載のフォトダイオード。【請求項 10】 上記突出部が、約0.5〜1.0μmの深さを持つ請求項9に記載のフォトダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
