特許

J-GLOBAL ID：200903047844601885

光電変換装置

発明者： 坂倉 真之 ,  荒井 康行 ,  山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-286457
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114566
出願日： 1998年10月08日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 基板上に第1の電極、光電変換層、第2の電極を積層して構成される光電変換装置において、前記光電変換層を構成する価電子制御元素が添加されていない第1の微結晶半導体膜と、第1の電極との間で良好なオーム接触を得て光電変換特性を改善する。【解決手段】 第1の電極を金属膜と光透過性酸化物導電膜とを積層させて形成し、該光透過性酸化物導電膜を20〜500nmの厚さにすると共に、該光透過性酸化物導電膜に密接させて第1の微結晶半導体膜を形成することで、該第1の微結晶半導体膜の厚さを1〜30nmとしても良好なオーム接触を得ることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、第1の電極と、光電変換層と、第2の電極とを積層して成るユニットセルを、少なくとも一つ有する光電変換装置において、前記第1の電極は、前記絶縁表面を有する基板に密接して設けられた金属膜と、該金属膜に密接して設けられた光透過性酸化物導電膜と、を有し、前記光電変換層は、前記光透過性酸化物導電膜に密接して形成された、価電子制御元素が添加されていない第1の微結晶半導体膜と、該第1の微結晶半導体膜に密接して形成された非晶質半導体膜と、該非晶質半導体膜に密接して形成され、p型の価電子制御元素が添加された第2の微結晶半導体膜と、から成ることを特徴とする光電変換装置。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/10 A

Fターム (29件)：

5F049MA04 ,  5F049MB04 ,  5F049MB05 ,  5F049MB12 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049PA07 ,  5F049SE02 ,  5F049SE03 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS01 ,  5F049WA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051EA02 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA17 ,  5F051GA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開昭59-069920
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭59-069920
  
• 特開昭59-069920