化合物半導体素子の加工表面処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-324982
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183306
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【目的】ガリウム(Ga)および砒素(As)を含むIII-V族化合物半導体からなる半導体素子の表面再結合による無効電流を低減するための簡便な表面処理方法を提供する。【構成】下部半導体多層反射膜4と活性層6と上部半導体多層反射膜10を順次半導体基板上に形成し、マスク11を用いて活性層6の直下までエッチングすることにより発光領域12を形成する。次に高真空中で試料を成長室に搬入し、りんガス(P2 ) 雰囲気中で加熱処理し、活性層6のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する表面保護半導体層13を形成する。次にマスク11を除去し発光領域12の上面に電極を形成する。

請求項（抜粋）：

ガリウム(Ga)および砒素(As)を含むIII-V族化合物半導体により作製された半導体素子を、りん(P)雰囲気中で加熱処理することを特徴とする化合物半導体素子の加工表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/324 , H01L 27/12 , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-291916
特開昭53-090861

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