特許

J-GLOBAL ID：200903047845766411

光学活性β-ヒドロキシケトンの製造法

発明者： 三上 幸一 ,  松川 覚 ,  清水 正毅 ,  寺田 眞浩 ,  佐用 昇
出願人/特許権者： 高砂香料工業株式会社
代理人 (1件)： 小野 信夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-076391
公開番号（公開出願番号）：特開平6-263682
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】で表されるシリルエノールエーテルと、で表される置換アルデヒドとを、で表されるビナフトール-チタン錯体の存在下に反応せしめることを特徴とするで表される光学活性β-ヒドロキシケトンを触媒的不斉アルドール反応により製造する方法。(R1,2は水素原子、低級アルキル基を、R3は低級アルキル基、低級アルキルオキシ基、フェニル基、フェニルオキシ基または低級アルキルチオ基を示し、R′は低級アルキル基またはフェニル基を示し、R4は低級アルキル基、低級アルキルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、低級アルキルオキシカルボニル基を示し、Xは塩素原子又は臭素原子を示す)【効果】ジアステレオ選択的かつエナンチオ選択的に、光学活性β-ヒドロキシケトンを製造できる。

請求項（抜粋）：

一般式(II)【化1】(式中、R1、R2は同一または異なって水素原子または低級アルキル基を、R3は低級アルキル基、低級アルキルオキシ基、フェニル基、フェニルオキシ基または低級アルキルチオ基を示し、3つのR'は同一または異なって低級アルキル基またはフェニル基を示す)で表されるシリルエノールエーテルと、一般式(III)、【化2】(式中、R4は低級アルキル基、低級アルキルオキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、低級アルキルオキシカルボニル基を示す)で表される置換アルデヒドとを、式(IV)、【化3】(式中、Xは塩素原子または臭素原子を示す)で表されるビナフトール-チタン錯体の存在下に反応せしめることを特徴とする一般式(I)【化4】(式中、R1、R2、R3、R4およびR'は前記と同じ意味を有する)で表される光学活性β-ヒドロキシケトンを触媒的不斉アルドール反応により製造する方法。

IPC (13件)：

C07C 45/67 ,  B01J 31/22 ,  C07B 53/00 ,  C07C 67/333 ,  C07C 67/38 ,  C07C 69/675 ,  C07C 69/708 ,  C07C 69/712 ,  C07C 69/732 ,  C07C 69/734 ,  C07C319/20 ,  C07C323/22 ,  C07B 61/00 300