特許
J-GLOBAL ID：200903047846578481
薄膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280563
公開番号（公開出願番号）：特開平6-108245
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月19日
要約：
【要約】【目的】 コンタクト抵抗値が低い薄膜を、少ない工程数でステップカバレッジ良く形成することができる薄膜形成方法を提供する。【構成】 導入系8によりプラズマ発生領域2にArガスを43cc/分で導入し、プラズマ発生領域2内圧力を1×10-3Torrに設定する。プラズマ発生領域2に周波数2.45GHz 、パワー2.0kW のマイクロ波を導入し、励磁コイル7にて875Gの磁場を印加して電子サイクロトロン共鳴を実現させる。ガス導入系9より反応室1内に導入するN2 ガスの導入量を段階的に又は連続的に変化させて、プラズマによりTiターゲットをスパッタし、基板S上に TiN/Ti膜を形成する。
請求項（抜粋）：
反応室内にガスを導入してプラズマを発生させ、該反応室内に配設されたターゲットを前記プラズマによりスパッタして、前記反応室内に配置された基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、前記ガスの導入量又は組成を経時的に変化させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/285 301
