特許
J-GLOBAL ID：200903047847404703
エッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-050220
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251421
出願日： 1992年03月09日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：
【要約】【目的】エッチング液中に混入させる界面活性剤の残留分による信頼性低下を防止する。【構成】オゾン槽5内に半導体ウェーハ1を搬送して低圧水銀ランプにより発生させたオゾンで表面を親水性にした後、エッチング槽6内に移して半導体ウェーハ1を回転させながらノズル7よりエッチング液を噴出させてウェットエッチングを行なう。
請求項（抜粋）：
表面にエッチング用マスクを設けた半導体ウェーハをオゾン雰囲気中で前処理する工程と、前記半導体ウェーハをエッチング液中に浸してウェットエッチングする工程とを含むことを特徴とするエッチング方法。
引用特許：
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