特許
J-GLOBAL ID：200903047852977649
半導体マルチチップモジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-129063
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330353
出願日： 1998年05月12日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】小型化を図りつつ半導体チップの温度上昇を防止することができる半導体マルチチップモジュールを提供することにある。【解決手段】金属ベース配線基板5はベース金属板6と絶縁層7と配線パターンL1〜L18からなり、ベース金属板6の上に絶縁層7を介して配線パターンL1〜L18が形成されている。金属ベース配線基板5の両端部はJ字状に曲げ加工されて曲げ加工部5aが形成される。金属ベース配線基板5の配線パターンL11,L12上にパッケージされていない半導体ベアチップ(MOSFET)2,3が配設され、絶縁層7の上にパッケージされていない半導体ベアチップ(コントロールIC)4が配設される。
請求項（抜粋）：
ベース金属板の上に絶縁層を介して配線パターンが形成された金属ベース配線基板に複数の半導体ベアチップを配設するとともに、前記金属ベース配線基板のすくなくとも1部に曲げ加工部を形成し、該曲げ加工部に主基板と接合するための接合部を形成した半導体マルチチップモジュール。
IPC (2件)：
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