特許

J-GLOBAL ID：200903047853347282

半導体光集積装置及びその製造方法

発明者： 原 真二郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-286607
公開番号（公開出願番号）：特開2003-098499
出願日： 2001年09月20日
公開日（公表日）： 2003年04月03日
要約：

【要約】【課題】 半導体光集積装置及びその製造方法に関し、MnAs、MnSbなどをベースとする希薄磁性混晶半導体と比較して大きな磁気光学効果を示す希薄磁性混晶半導体を実現し、ファラデー効果を利用する光アイソレータなどの非相反性光素子を得られるようにする。【解決手段】 光を導波するコア層をMnBi材料系混晶の希薄磁性半導体或いはMnBiそのもので構成したDMS層2を含む非相反性光素子が同一基板上に集積化されている。

請求項（抜粋）：

光を導波するコア層をMnBiを含む材料系をベースとする混晶である希薄磁性半導体或いはMnBiで構成した非相反性光素子が含まれてなることを特徴とする半導体光集積装置。

IPC (3件)：

G02F 1/09 501 ,  G02B 27/28 ,  H01S 5/026 650

FI (3件)：

G02F 1/09 501 ,  G02B 27/28 Z ,  H01S 5/026 650

Fターム (13件)：

2H079AA03 ,  2H079BA02 ,  2H079CA06 ,  2H079DA13 ,  2H079EB18 ,  2H079HA11 ,  2H079KA18 ,  2H099AA01 ,  2H099BA03 ,  5F073AB25 ,  5F073AB30 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体光集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-062627   出願人：工業技術院長, 技術研究組合オングストロームテクノロジ研究機構
• 磁気光学装置の製造方法及びその磁気光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-190688   出願人：科学技術振興事業団
• 特開平4-094584
  
• 特開平4-094584
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Journal of Applied Physics, 19981001, Vol.84,No.7, 3625-3629