特許
J-GLOBAL ID：200903047855875120
プラズマ処理方法及び処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-049562
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250470
出願日： 1995年03月09日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】真空処理室の側壁面の加熱やプラズマによる壁面クリーニングによらず、壁面の影響を防止し、真空処理室側壁面に付着する物質の影響を減少させ得る改良されたプラズマ処理方法及び処理装置を提供すること。【構成】プラズマ処理装置において、真空処理室7の側壁面3と試料台11の外周部との距離をdとし、試料台11からその対向する処理室天井までの高さをhとしたとき、d/h≧1/2を満足する構成にする。【効果】真空処理室側壁面3の付着物9やその他の壁の影響を低減し、ドライエッチングにおいては、エッチ速度、選択比の向上、装置内パーティクル低減、特性の経時変化低減などの効果があり、成膜においては、異物の発生を低減し、高品質の薄膜形成を可能とした。
請求項（抜粋）：
試料処理室を真空に排気し、室内に処理ガスを導入すると共に、高周波エネルギを印加することにより処理室内にプラズマを発生させ、このプラズマ空間に試料台に載置された基板表面を曝すことによってプラズマ処理を行なう工程を有するプラズマ処理方法において、試料台の外周部から真空処理室側壁面までの最短距離をdとし、試料台上に対向する天井壁の高さをhとしたとき、これら両者の関係をd/h≧1/2とする条件下でプラズマ処理を行なう工程を有して成るプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3065
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
H01L 21/302 B
, C23C 16/50
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
