特許

J-GLOBAL ID：200903047858307513

絶縁膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法

発明者： 片岡 豊隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057592
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288933
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】ボロン原子の突き抜け現象を確実に防止でき、且つ、pチャネル型MOS半導体素子の電流駆動能力の低下が生じるといった問題の発生を回避でき、しかも、極薄の絶縁膜の形成を可能にする絶縁膜の形成方法を提供する。【解決手段】絶縁膜の形成方法は、(イ)雰囲気温度200乃至500 ゚Cの窒化性雰囲気中で半導体層10を熱処理(窒化処理)する第1の工程、及び、(ロ)酸化性雰囲気中で半導体層10を熱処理(酸化処理)する第2の工程から成り、以て、半導体層10の表面に絶縁膜12を形成する。

請求項（抜粋）：

(イ)雰囲気温度200乃至500 ゚Cの窒化性雰囲気中で半導体層を熱処理する第1の工程、及び、(ロ)酸化性雰囲気中で該半導体層を熱処理する第2の工程、から成り、以て、半導体層表面に絶縁膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G