コンタクトホールの形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-198407
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024058
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】一連の連続した工程により高アスペクト比でかつ導体配線の形成や導電体プラグの埋込み形成が容易なコンタクトホールを効率よく形成できる方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の上に形成された絶縁膜2の上に所定の個所に開口3aを有するレジスト層3を形成する工程と、レジスト層3をマスクにして絶縁膜2をドライエッチング法により異方性エッチングする工程と、異方性エッチングに連続して絶縁膜2をドライエッチング法により等方性エッチングする工程と、レジスト層3を除去する工程とを有し、高アスペクト比の断面形状でかつ開口が拡大されたコンタクトホールを容易に形成できるものである。なお等方性エッチング条件は異方性エッチング条件からバイアス電力の低減およびチャンバー内のガス圧の増加の少なくとも一方を行うことにより設定することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された絶縁膜上に、所定の個所に開口を有するレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をマスクにして前記絶縁膜をドライエッチング法により異方性エッチングする工程と、前記異方性エッチングに連続して前記絶縁膜をドライエッチング法により等方性エッチングする工程と、前記レジスト層を除去する工程とを有するコンタクトホールの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/90 C , H01L 21/28 F , H01L 21/28 U , H01L 21/302 M

Fターム (44件)：

4M104DD08 , 4M104DD12 , 4M104DD19 , 4M104EE08 , 4M104EE15 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104HH13 , 4M104HH14 , 4M104HH20 , 5F004AA12 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004DA02 , 5F004DA26 , 5F004DB06 , 5F004EA29 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F033NN31 , 5F033NN32 , 5F033QQ09 , 5F033QQ12 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ18 , 5F033QQ22 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ60 , 5F033QQ65 , 5F033QQ98 , 5F033RR15 , 5F033SS11 , 5F033WW00 , 5F033WW05 , 5F033WW07 , 5F033WW10 , 5F033XX02 , 5F033XX04 , 5F033XX33

引用特許：

審査官引用 (8件)

接続孔の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-274842 出願人：ソニー株式会社
スルーホールの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-109042 出願人：日本モトローラ株式会社
特開昭64-030228

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