特許

J-GLOBAL ID：200903047864815822

荷電ビーム用注入深さモニター装置

発明者： 山田 俊一郎
出願人/特許権者： 日新ハイボルテージ株式会社
代理人 (1件)： 川崎 勝弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-278522
公開番号（公開出願番号）：特開平10-090423
出願日： 1996年09月11日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 荷電ビームの注入深さの測定を、短時間でしかも継続的に実施可能とすることを目的とする。【解決手段】 荷電粒子加速装置1からの荷電ビームが表面に均一に照射される位置に、照射部位により荷電ビームの通過方向の厚みが異なるように絶縁フイルム3を階段状に重ね合わしてゲージ2を構成する。このゲージ2の下面に、絶縁フイルムの各階段面3Aに向かい合うように電極箔11を設置した電極層12を配置する。荷電ビームの照射によって各電極箔11に蓄積される電荷を、照射部位にしたがう注入深さに対応して表示する表示装置15を設ける。

請求項（抜粋）：

荷電粒子加速装置からの荷電ビームが表面に均一に照射される位置に、照射部位により荷電ビームの通過方向の厚みが異なるように絶縁フイルムを階段状に重ね合わしてゲージを構成し、前記ゲージの下面に、前記絶縁フイルムの各階段面に向かい合うように電極箔を設置した電極層を配置するとともに、前記荷電ビームの照射によって前記各電極箔に蓄積される電荷を、照射部位にしたがう注入深さに対応して表示する表示装置を設けてなる荷電ビーム用注入深さモニター装置。