特許

J-GLOBAL ID：200903047865639769

半導体装置及び酸化イットリウムの堆積方法

発明者： チン-チャン ペン ,  セシュ ビー.デス
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-036882
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129634
出願日： 1996年02月23日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】高温特性に優れた半導体装置およびダイヤモンド薄膜用の保護コーティングとしての酸化イットリウム薄膜の堆積方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド薄膜からなる第1の層と、該第1の層上に存在し、酸化イットリウムからなる第2の層と、を備えた半導体装置であって、該酸化イットリウム層は該ダイヤモンド薄膜層に対する耐酸化保護コーティングとなり、高温下で用いられるのに適した半導体装置が提供される。

請求項（抜粋）：

(a)ダイヤモンド薄膜からなる第1の層と、(b)該第1の層上に存在し、酸化イットリウムからなる第2の層と、を備えた半導体装置であって、該酸化イットリウム層は該ダイヤモンド薄膜層に対する耐酸化保護コーティングとなり、かつ該酸化イットリウム層と該ダイヤモンド薄膜層との組み合わせによって、高温下で用いられるのに適した半導体装置が形成される、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C01F 17/00 ,  C30B 29/04 ,  H01L 21/314

FI (5件)：

H01L 21/316 X ,  C01F 17/00 A ,  C30B 29/04 V ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/314 M