特許
J-GLOBAL ID：200903047866302490
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-167282
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017179
出願日： 1997年06月24日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】本発明は、電流検出素子領域の周囲をトレンチゲート領域で囲むようにしたことを最も主要な特徴とする。【解決手段】P型半導体基板1、N型ドリフト領域2、P型ベース領域3、N型ソース領域4、トレンチゲート領域5、ゲート絶縁膜6、ゲート電極7、絶縁膜8、主電流電極(主電流エミッタ電極)9、電流検出電極10、コレクタ電極11、フローティング領域13を有し、主電流素子領域と電流検出素子領域とからなり、電流検出素子領域の周囲が3重のトレンチゲート領域5で取り囲まれている。
請求項（抜粋）：
トレンチゲート構造を有し、バイポーラ動作する主電流素子と電流検出素子とが同一チップに形成されている半導体装置において、上記電流検出素子が形成されている領域の周囲をトレンチゲート領域で囲むように構成したことを特徴とする半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 657 F
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 F
