特許

J-GLOBAL ID：200903047866580636

半導体装置の製造方法

発明者： 石田 友弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-187354
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009017
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 開口部内を導電膜にて確実に埋め込むことができる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 半導体基板1上に形成されたコンタクトホール3内にタングステン膜17を成膜して埋め込む工程を、全面CVD法を用い、成膜ガスにタングステン膜17の成膜中においてタングステン膜17をエッチングすることができるエッチングガスを所望割合混合して行うものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された開口部内に導電膜を成膜して埋め込む工程を、全面CVD法を用い、成膜ガスに上記導電膜の成膜中において上記導電膜をエッチングすることができるエッチングガスを所望割合混合して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/285 301 T ,  C23C 16/08 ,  H01L 21/302 Z ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/90 C

Fターム (49件)：

4K030AA04 ,  4K030AA17 ,  4K030BA20 ,  4K030BA48 ,  4K030DA08 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA06 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104DD06 ,  4M104DD45 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F004AA16 ,  5F004BD04 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA17 ,  5F004DB10 ,  5F004EA27 ,  5F004EA40 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033HH19 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04 ,  5F033XX09