特許

J-GLOBAL ID：200903047867337107

偏極電子線発生素子

発明者： 岸野 克巳 ,  坂 貴 ,  加藤 俊宏 ,  中西 彊 ,  堀中 博道
出願人/特許権者： 岸野 克巳 ,  大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029824
公開番号（公開出願番号）：特開平6-223709
出願日： 1993年01月25日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体光電層で発生した偏極電子が表面側へ移動し易くなるようにして取出効率を向上させる。【構成】 半導体光電層としての第2半導体16に対するZnのドーピング量を、内部から表面18に向かうに従って連続的に少なくすることにより、最も内側の第1半導体14との界面付近のキャリア濃度を1×1019(cm-3) 程度、表面18付近のキャリア濃度を5×1017(cm-3) 程度とし、伝導帯のエネルギーレベルが表面18側程低くなるようにした。

請求項（抜粋）：

価電子帯にバンドスプリッティングを有する半導体光電層を備え、該半導体光電層に励起光が入射されることにより該半導体光電層の表面からスピン方向が偏在している偏極電子線を発生する偏極電子線発生素子において、前記半導体光電層の不純物のドーピング量を表面側より内部側の方を多くし、伝導帯のポテンシャルエネルギーが表面側程小さくなるようにしたことを特徴とする偏極電子線発生素子。