特許

J-GLOBAL ID：200903047869209858

サーマルヘッドの製造方法

発明者： 佐々木 一成
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268276
公開番号（公開出願番号）：特開平6-115133
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月26日
要約：

【要約】【目的】 共通電極と金属基板との電気的な短絡を防止でき、また共通電極の電流容量を大きくできるサ-マルヘッドの製造方法を提供すること。【構成】 共通電極6となる共通導体層が形成された領域が少なくとも含まれる部分で支持基板1を切断する工程を含むサ-マルヘッドの製造方法において、支持基板1を切断する際に、支持基板1方向に押し下げられ、支持基板1と電気的に接続した共通導体層の切断端面を研磨または化学的エッチングし、支持基板1と共通導体層との電気的な接続を切り離す工程を有する。

請求項（抜粋）：

導電性の支持基板上に耐熱絶縁層を形成する工程と、前記耐熱絶縁層上に複数の発熱抵抗体および複数の個別電極を形成する工程と、前記複数の発熱抵抗体に共通に接続される共通電極を形成する工程と、前記共通電極となる共通導体層が形成された領域が少なくとも含まれる部分で前記支持基板を切断する工程とを有するサ-マルヘッドの製造方法において、前記支持基板を切断した後に、前記切断により前記支持基板と電気的に接続した前記共通導体の切断端面を研磨または化学的エッチングし、前記支持基板と前記共通導体層との電気的な接続を切り離す工程を有することを特徴とするサ-マルヘッドの製造方法。