特許

J-GLOBAL ID：200903047875013906

薄膜デバイス及び半導体膜の作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  楠本 直人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349544
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195817
出願日： 1991年05月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 レーザーアニール装置において、レーザー処理の前にレーザー処理されるべき試料の表面が外気に触れることによる表面の汚染や、表面の原子の結合状態の変化を防止する。【解決手段】 非晶質半導体膜をレーザー光によって結晶化するための装置であって、レーザーを照射するチャンバー4以外に、少なくとも一つの加熱処理チャンバー3を有し、処理されるべき試料は、前記レーザー照射チャンバー4と加熱処理チャンバー3の間を外気にさらされることなく移動できる構造を有するレーザーアニール装置。

請求項（抜粋）：

半導体膜を有する薄膜デバイスの作製方法であって、基板上に半導体膜を形成し、照射断面が一方向に延ばされたレーザービームを前記半導体膜に照射して、前記照射断面の延ばされた方向と垂直な方向に前記基板を移動させることにより前記半導体膜を結晶化させることを特徴とする薄膜デバイスの作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/268 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 627 G