光半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006258
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199797
出願日： 1996年01月18日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】光半導体装置及びその製造方法に関し、所定幅の活性層に対する良好なコンタクト性を確保すると共に、メサ側面のモフォロジを改善する。【解決手段】半導体基板1上に、断面形状が上部8において垂直性が高く、且つ、下部9において垂直性の劣るメサストライプ構造を設け、少なくともこのメサストライプ構造の側部に埋込層10を設けると共に、このメサストライプ構造の垂直性の劣る下部9に活性層3を位置させる。

請求項（抜粋）：

断面形状が上部において垂直性が高く、且つ、下部において垂直性の劣るメサストライプ構造を半導体基板上に設けた光半導体装置において、少なくとも前記メサストライプ構造の側部に埋込層を設けると共に、前記メサストライプ構造の垂直性の劣る下部に活性層を位置させたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , G02F 1/025 , G02F 1/35 501

FI (3件)：

H01S 3/18 , G02F 1/025 , G02F 1/35 501

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