特許
J-GLOBAL ID：200903047877035389
磁気センサ、この磁気センサを用いた方位検知システム及び携帯通信端末
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏木 慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-125377
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318466
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 小型・軽量で高感度な磁気センサを提供する。【解決手段】 少なくとも磁性体層4,6と非磁性体層5との積層構造を含み、磁性体層4,6のうちで一軸磁気異方性及び磁化反転可能な保磁力を有する磁界感知用軟磁性体層6を備える小型・軽量な薄膜磁気抵抗効果素子2の場合、成膜表面の荒れ等によって静磁気的な固着部層7が磁界感知用軟磁性体層6と非磁性体層5との界面に発生し、この固着部層7の膜厚は成膜条件によって著しく異なるが、このような固着部層7の膜厚に対して磁界感知用軟磁性体層6の膜厚を20倍以上とすることにより、成膜条件に依らず、本来の磁気特性より特性が劣化した固着部層7の影響を緩和して、感度等の点で良好なる素子特性が得られるようにした。
請求項（抜粋）：
少なくとも磁性体層と非磁性体層との積層構造を含み、前記磁性体層のうちで一軸磁気異方性及び磁化反転可能な保磁力を有する磁界感知用軟磁性体層が隣接ないし近接する他層との磁気的な結合により本来の磁気特性より特性が劣化した固着部層を含む薄膜磁気抵抗効果素子を備え、前記磁界感知用軟磁性体層の膜厚が前記固着部層の膜厚の20倍以上である磁気センサ。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/02
, G01R 33/09
H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 U
, G01R 33/02 L
, G01R 33/06 R
2G017AA03
, 2G017AA16
, 2G017AB01
, 2G017AB07
, 2G017AD55
, 2G017AD63
, 2G017AD65
, 2G017BA05
, 2G017BA18
