特許
J-GLOBAL ID：200903047879876054
基板バイアス発生回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024954
公開番号（公開出願番号）：特開平6-282339
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 集積回路の基板50に基板バイアス電圧を与える基板バイアス発生回路20を提供する。【構成】 電圧/電流変換回路22は、バンドギャップ発生基準電圧に比例する一定な電流を与える。Pチャンネル・トランジスタ34,35は、バンドギャップ発生基準電圧に基づいて電圧レベル検出回路36の定電流源となる。電圧レベル検出回路36は基板バイアス電圧のレベルを監視して、基板バイアス電圧が所定の電圧レベルに達すると、発振器47をアクティブにする第1制御信号を与える。発振器をより確実に制御するため第1制御信号を増幅またはレベル変換するレベル変換器43が設けられる。基板バイアス発生回路20は、プロセス変化,温度変化および電源変化から独立している、正確に制御された基板バイアス電圧を基板50に与える。
請求項（抜粋）：
基板バイアス電圧を与える基板バイアス発生回路(20)であって:第1電源電圧端子に結合された第1端子と、基準電圧に比例する第1の実質的に一定な電流を与える第2端子とを有する第1電流源(34);第1および第2端子を有する第1抵抗(39)を備える電源レベル検出回路(36)であって、前記基板バイアス電圧の大きさが前記第1抵抗(39)両端の所定の電圧降下以下に低下するときを検出し、それに応答して第1制御信号を与える電圧レベル検出回路(36);前記電圧レベル検出回路(36)に結合され、前記第1制御信号に応答して、所定の周波数で一連のパルスを生成する発振器(47);および前記発振器(47)に結合されて前記一連のパルスを受け取る第1ノードと、前記一連のパルスに応答して前記基板バイアス電圧を与える出力ノードとを有するチャージ・ポンプ(49);によって構成されることを特徴とする基板バイアス発生回路(20)。
IPC (2件)：
G05F 1/56 310
, H02M 3/07
