パターン形成方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-074989
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270330
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路等の製造に用いられる投影露光装置の従来の解像限界を超える微細なパターンを転写できるパターン形成方法及びその装置を提供する。【解決手段】第2の光源を用い、レジスト2の非線型光学現象を利用することにより微細なパターンを転写する。

請求項（抜粋）：

投影光学系を介して、第1の光源からの光をマスク基板上に描かれているマスクパターンに基づくパターン露光光としてウエハ基板上のレジスト薄膜に投影するパターン形成方法において、第2の光源を用いて前記レジスト薄膜の光学特性を変化させることにより、前記投影光学系の前記レジスト薄膜中の光形状を所望の形状に制御することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 528 , G03F 7/20 521

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