特許
J-GLOBAL ID：200903047885703528

プラズマ処理装置

発明者：
渡辺 衛

渡辺 衛 について

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原口 秀夫

原口 秀夫 について

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三橋 章男

三橋 章男 について

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森 聡

森 聡 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167960
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367964
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：
【要約】【課題】 半導体やLCD製造におけるプラズマ処理において、高均一かつ不良のないプラズマ処理を可能にし、また冷却ガス量が少なく、コントロールが容易な基板処理方法および装置を提供することを目的とする。【解決手段】 真空容器1と、真空排気ポンプ2と、反応ガス供給口4と、上部電極3および下部電極7と、下部電極7に被処理基板6を押し付けるクランプリング17と、下部電極7へ高周波電力を供給する高周波電源11と、被処理基板6裏面と下部電極7との間に電熱ガスを充満させる電熱ガス供給手段13とを有するプラズマ処理装置の電極構造において、基板載置面が所定の等分布圧力を受ける被処理基板のたわみ曲面であり、鉛直方向の段差d1が20μm≦d1≦30μmである階段形状を持った載置面とする。
請求項（抜粋）：
真空容器と、真空排気手段と、反応ガス供給手段と、一対の電極と、一方の電極に被処理基板を押し付ける基板クランプ手段と、少なくとも一方の電極への高周波電力供給手段と、被処理基板裏面と電極との間に伝熱ガスを充満させる伝熱ガス供給手段とを有し、電極の被処理基板載置面を所定の等圧分布圧力を受ける被処理基板のたわみ曲面形状とし、伝熱ガス圧力をほぼその所定圧力又はそれ以下としたプラズマ処理装置において、前記被処理基板載置面を、包絡面が所定の等圧分布圧力を受ける被処理基板のたわみ曲面であり、鉛直方向の段差d1が20μm≦d1≦30μmである階段形状を持った載置面とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46
FI (6件)：
B01J 19/08 H ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C
Fターム (49件)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA03 ,  4G075CA13 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA01 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075FA20 ,  4G075FC15 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030KA26 ,  5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BB21 ,  5F004BB25 ,  5F004BD04 ,  5F004DA22 ,  5F031CA02 ,  5F031CA04 ,  5F031HA03 ,  5F031HA06 ,  5F031HA08 ,  5F031HA23 ,  5F031HA38 ,  5F031HA39 ,  5F031HA40 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F031MA32 ,  5F031PA11 ,  5F031PA18 ,  5F045AA08 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH14 ,  5F045EJ10 ,  5F045EM03 ,  5F045EM09
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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