特許
J-GLOBAL ID：200903047887822249
半導体ウェーハの熱処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
赤野 牧子 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-225090
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058094
出願日： 1993年08月18日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】金属部材の酸化または蒸発により熱処理室内の雰囲気が汚染されることのない半導体ウェーハ熱処理装置を低コストで提供する。【構成】熱処理室内に配置した半導体ウェーハに対し所定の熱処理を行う熱処理装置において、前記熱処理室内の雰囲気に接する金属部表面に、セラミックス材料からなるコーティング層を形成した。該コーティング層は0.5〜5.0μmを好ましい厚さとし、コーティング層を形成するセラミックス材料として、TiNまたはTiCN2 を用いた。コーティング層は、イオンプレーティング法またはCVD(化学蒸着)法により形成する。
請求項（抜粋）：
熱処理室内に配置した半導体ウェーハに対し所定の熱処理を行う熱処理装置において、前記熱処理室内の雰囲気に接する金属部表面に、セラミックス材料からなるコーティング層を形成したことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/31
, H01L 21/205
, H01L 21/22 511
, H01L 21/324
