イオン注入装置およびイオン注入方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-106949
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288681
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】既にイオン注入され均一性が十分でないウェーハについて、その補正を行い得るイオン注入装置およびイオン注入方法を提供すること。【解決手段】高電圧ターミナル10Aの質量分離器2の後段にイオンビームLの遮断器3、加速管4に続くビームライン部10BにイオンビームLを微小角度スキャンさせるオクタポール・スキャナー6、非接触ビーム電流計8を配置し、エンドステーション部10Eにはビーム制限スリット9とウェーハ位置検出器19を設ける。ウェーハ位置検出器19とウェーハWを保持するプラテン13のX、Y方向への機械的駆動機構16、17によってウェーハWの注入量不足領域をビーム制限スリット9の直下へ移動しX、Y方向へスキャンさせてイオンを補正注入する。

請求項（抜粋）：

高電圧部でイオン源からイオンが引き出され、質量分離器によって必要なイオンのみが選択的に分離され、加速管で所定のエネルギーに加速された後、ビームライン部でイオンビームがX方向(水平方向)とY方向(垂直方向)とにスキャンされ、エンドステーション部でウェーハにイオンが注入されるイオン注入装置において、前記高電圧部には前記質量分離器と前記加速管との間に前記イオンビームを一時的に遮断し得るビーム遮断器が設置され、前記ビームライン部には少なくとも前記イオンビームの集束レンズ、前記イオンビームを前記X方向と前記Y方向に微小角度スキャンさせるスキャナーが設置され、前記エンドステーション部には、前記イオンビームの前記ウェーハへの入射領域を制限するためのビーム制限スリット、回転機構とティルト機構とを備え前記ウェーハを保持するプラテン、該プラテンを前記X方向と前記Y方向に高速で移動させる機械的駆動機構が配置され、更に前記機械的駆動機構、前記回転機構、前記ティルト機構の作動を制御するためのウェーハ位置検出器が設置されており、前記ウェーハ位置検出器と前記機械的駆動機構、前記回転機構、前記ティルト機構とによって、前記ウェーハの注入量不足領域が前記プラテンと共に前記ビーム制限スリットに近接した後方位置へ移動されて所定の入射角度に設置され、前記加速管で所定のエネルギーに加速された前記イオンビームが前記スキャナーによって前記X方向と前記Y方向に微小角度スキャンされると共に、前記注入量不足領域が前記プラテンと共に前記機械的駆動機構によって前記X方向と前記Y方向に機械的にスキャンされて前記注入量不足領域に前記イオンが補正注入されることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 , H01J 37/20 , H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 B , H01J 37/20 Z , H01L 21/265 T

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平3-071545
特開平4-262355
特開平4-137346

審査官引用 (3件)

特開平3-071545
特開平4-262355
特開平4-137346

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