特許
J-GLOBAL ID：200903047889313759
固体撮像装置及びその製造方法
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-212029
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054737
出願日： 1997年08月06日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 フォトダイオードの低暗電流特性を維持しながら画素サイズの縮小化をはかる。【解決手段】 p型Si基板上に複数の単位画素を2次元配置してなり、各々の単位画素に、光電変換のためのフォトダイオード3と、フォトダイオード3で得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイオード5と、蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、蓄積された信号電荷により変調される増幅トランジスタと、増幅トランジスタからの信号電流を読み出すアドレストランジスタとが設けられた増幅型固体撮像装置において、単位画素内の増幅トランジスタを形成すべき領域に、基板と同一の導電型で該基板よりも不純物濃度の高いp+ 型不純物領域101を形成し、このp+ 型不純物領域101内に増幅トランジスタが形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の単位画素を2次元配置してなり、各々の単位画素に、光電変換のためのフォトダイオードと、フォトダイオードで得られた信号電荷を蓄積する蓄積ダイオードと、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、蓄積ダイオードに蓄積された信号電荷により変調される増幅トランジスタと、増幅トランジスタからの信号電流を読み出す信号読み出し部とが設けられた増幅型固体撮像装置において、前記単位画素内の少なくとも前記フォトダイオードを形成すべき領域を除く領域に、前記基板と同一の導電型で該基板よりも不純物濃度の高い高濃度不純物領域を形成し、この高濃度不純物領域内に前記増幅トランジスタを形成してなることを特徴とする増幅型固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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固体撮像装置と画像撮像装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平7-197471 出願人：キヤノン株式会社 -
固体撮像装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願平7-050691 出願人：株式会社ニコン -
特開平1-243462
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