特許
J-GLOBAL ID：200903047891073161
炭化珪素半導体およびその成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-098232
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310440
出願日： 1993年04月26日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】従来の成膜方法では、n形で2×1015/cm3 程度のキャリア濃度より得られないSiCを高抵抗化した半導体を得る。【構成】SiC結晶基板上にCVDによりエピタキシャル成長させる際、シランとプロパンのほかにGeの水素化物を添加した原料ガスを用いてSiCの中の空孔をGeにより低減し、0.1〜10原子%のGeを含むSiC膜を成膜し、8〜9×1014/cm3 のキャリア濃度、10〜12kΩcmの抵抗率を得る。
請求項（抜粋）：
ゲルマニウムを0.1〜10原子%含む炭化けい素からなることを特徴とする炭化珪素半導体。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/18
, C30B 29/36
