特許

J-GLOBAL ID：200903047892538036

集積回路エアブリッジ構造物およびその製造法

発明者： パトリック エー.ベグレイ ,  ウィリアム アール.ヤング ,  アンソニー エル.リヴォリ ,  ジョセ エー.デルガド ,  スティーブン ジェイ.ゴール
出願人/特許権者： ハリス・コーポレーション
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-144375
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092932
出願日： 1997年06月03日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ボンド基板に用いるためのエアブリッジ構造物を、ウェーハの構成要素によってウェ-ハのレベルで製造することができるようにする。【解決手段】 細長導体が誘電体層の上に形成されて、誘電体材料に収納される。次に、基板部分、半導体層、または両方が除去されて収納細長導体を大気に露出する。洞を形成する。ボンド基板の一実施例において、溝240は酸化物ボンディング層236に形成される。それらの溝は誘電体で被覆され、充てん、そして平坦化される。誘電体層は平坦化された溝を被覆し、細長導体242がエアブリッジ溝上の誘電体上で平坦化される。別の誘電体層249は平坦化導体を被覆してそれらを誘電体に収納する。次に基板はさらに平坦化され腐食されて充てんエアブリッジ溝の間から材料を除去する。最終構造物は、ボンディング酸化物層から間隔を有する誘電体に収納されたエアブリッジ導体を与える。

請求項（抜粋）：

一つ以上の集積回路または半導体デバイスを有する半導体基板において、細長金属導体の少なくとも一部分の回りに誘電体被膜を有する細長金属導体から成り、該導体のシ-スが周囲の大気に露出されることを特徴とするエアブリッジ構造物。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (5件)：

H01L 21/90 N ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/90 P ,  H01L 27/04 L ,  H01L 27/04 C