特許
J-GLOBAL ID:200903047898308466

ポリッシング装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡邉 勇 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-206594
公開番号(公開出願番号):特開平8-257894
出願日: 1995年07月20日
公開日(公表日): 1996年10月08日
要約:
【要約】【課題】 ポリッシング対象物の狙った所を強調して研磨することができるポリッシング装置を提供する。【構成】 上面に研磨布4を貼ったターンテーブル1とトップリング3とを有し、ターンテーブル1上の研磨布4とトップリング3との間に半導体ウエハ2を介在させて所定の圧力で押圧することによって半導体ウエハ2の表面を研磨するポリッシング装置において、研磨布4の半導体ウエハ2との接触面に凸部4aが形成され、凸部4aが半導体ウエハ2に接触している際、凸部の接触部分のターンテーブル半径方向の長さは半導体ウエハ2の直径より小さく、凸部4aの位置は凸部の半導体ウエハ2への作用領域に基づいて決定する。
請求項(抜粋):
上面に研磨布を貼ったターンテーブルとトップリングとを有し、前記ターンテーブル上の研磨布とトップリングとの間にポリッシング対象物を介在させて所定の圧力で押圧するとともに該ターンテーブルと該トップリングとを相対位置運動させることによって該ポリッシング対象物の表面を研磨するポリッシング装置において、前記研磨布のポリッシング対象物との接触面に凸部が形成され、該凸部がポリッシング対象物に接触している際、凸部の接触部分のターンテーブル径方向の長さはポリッシング対象物の直径より小さく、凸部の位置は凸部のポリッシング対象物への作用領域に基づいて決定することを特徴とするポリッシング装置。
IPC (2件):
B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321
FI (2件):
B24B 37/00 B ,  H01L 21/304 321 E
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-259520
  • ウェハー研磨装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-004932   出願人:直江津電子工業株式会社
  • 研磨装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-018072   出願人:ソニー株式会社
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