特許
J-GLOBAL ID:200903047900047802

LED及びその作製方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 岡部 正夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-336267
公開番号(公開出願番号):特開平8-236808
出願日: 1995年12月25日
公開日(公表日): 1996年09月13日
要約:
【要約】【課題】 本発明はLED及びその作製方法を提供する。【解決手段】 デバイスキャリヤとLEDとのはんだバンプ位置合せ及び電気的接続を同時に行うため、ウエハのp側上に、p及びnボンディングパッドの両方を、LEDは有する。能動領域及び不活性領域に、デバイスのp材料を分割することにより、溝を形成する。溝はまたデバイスのn接触のための経路も形成し、それは溝の底のn材料から、溝の側面を昇り、不活性p材料の表面上のnボンディングパッドまで延びる。
請求項(抜粋):
結晶学的平面に平行なp表面中に溝をエッチングし、前記溝がウエハのn層を露出する工程;金属n接触を形成し、前記n接触は前記露出されたn層に接触し、前記溝の壁を上昇し、p表面上に、連続した薄膜を形成する工程;前記n接触とは前記溝と反対のp表面上に、金属p接触を形成する工程;p表面、前記p及びn接触上、及び前記溝中に、誘電体薄膜を堆積させる工程;前記誘電体薄膜中に、前記p及び前記n接触を部分的に露出する開孔を規定する工程;前記誘電体薄膜及び前記開孔上に、金属薄膜を堆積させる工程;前記p及びn接触上で、前記誘電体薄膜の上に、ボンディングパッド位置を規定する工程;前記ボンディングパッド位置上に、ボンディングパッドを形成する工程;前記誘電体薄膜を露出させるため、前記ボンディングパッド周囲の前記金属薄膜を除去する工程を含むp表面、n表面、n層及び基本的結晶学的平面を有するダブルヘテロ構造ウエハから、LEDを作製する方法。

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