特許

J-GLOBAL ID：200903047901960889

プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法

発明者： 篠原 啓二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-128591
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335621
出願日： 1994年06月10日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：

【要約】【目的】 ブランケットCVDタングステン層のエッチバックにより、平坦性よく接続孔を埋め込むプラズマエッチング装置および方法を提供する。【構成】 接続孔4を含む被エッチング基板上全面に、ブランケットWからなる導電性薄膜6を形成し、これにエッチバックを施すに際し、まずシート抵抗値を測定することにより膜厚を演算し、この膜厚値に基づいて発光スペクトル強度モニタによる終点判定開始の時期を決定する。【効果】 放電の不安定なエッチング初期〜中期には終点判定を行わないので、ノイズ等による誤動作を防止できる。導電性薄膜の膜厚が異なる複数の被エッチング基板を連続的に処理しても、最適なエッチバック条件でプラグロスの無いコンタクトプラグ7を形成できる。

請求項（抜粋）：

導電性薄膜のエッチバックを施すためのプラズマエッチング装置であって、該導電性薄膜の膜厚測定手段と、プラズマの発光スペクトル強度にもとづく終点判定手段と、該導電性薄膜の膜厚測定手段の膜厚データにもとづき前記終点判定手段の作動開始時期を制御する終点判定制御手段を有することを特徴とする、プラズマエッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (3件)：

H01L 21/302 L ,  H01L 21/302 E ,  H01L 21/88 D