強誘電体メモリを備えた半導体集積回路装置及びその強誘電体メモリの書き換え制御方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊丹勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-147680
公開番号（公開出願番号）：特開2001-331371
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 CPUと組み合わされるFRAMのユーザーによるROM領域とRAM領域の設定が可能でありしかも、その設定や設定変更をデータ書き込み動作の中で可能とした半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 CPU、強誘電体メモリ及びI/Oユニットを有するマイクロコンピュータシステムにおいて、強誘電体メモリは、書き込まれるデータに、所定のデータ列毎にそのデータ列を書き換え可能とするか否かを決定するための判別ビットが付加され、この判別ビットにより強誘電体メモリにデータ書き換えが禁止される領域が設定されるようにした。

請求項（抜粋）：

中央処理装置と、この中央処理装置とデータバスを介して接続される強誘電体メモリとを有する半導体集積回路装置において、前記強誘電体メモリに書き込まれるデータに、所定のデータ列毎にそのデータ列を書き換え可能とするか否かを決定するための判別ビットが付加され、この判別ビットにより前記強誘電体メモリにデータ書き換えが禁止される領域が設定されるようにしたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G06F 12/14 310 , G11C 11/22 , G11C 14/00

FI (3件)：

G06F 12/14 310 F , G11C 11/22 , G11C 11/34 352 A

Fターム (6件)：

5B017AA02 , 5B017BA04 , 5B017CA11 , 5B024AA15 , 5B024BA02 , 5B024CA27

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