特許
J-GLOBAL ID：200903047909458163
窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-045231
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242520
出願日： 1997年02月28日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 バンドギャップが大きく且つp型キャリア濃度が1×1018cm-3以下に制限される窒化ガリウム系半導体において良好なオーミック接触を得る電極構造を提供すること。【解決手段】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層にMgを含まず且つ密着性・反応性の高い元素(Ni、Ti等)からなる第1層とMgを含む第2層とをこの順に積層して電極構造を形成し、その後、アニーリング処理を行う。これにより、当該半導体中へ第2層からp型ドーパント金属たるMgを拡散させる。第1層をNi又はTiで形成すると、この拡散は速やかに進行する。【効果】 上記電極構造を半導体素子のp側電極に採用することで、接触抵抗の低減が図られ、素子の動作電圧も低減した。
請求項（抜粋）：
p型窒化ガリウム系化合物半導体素子への電極材料の一部として,少なくともNiとMgとが含まれる合金より成るか,またはを少なくともNiとMgとが積層された多層膜より成る電極構造を有する事を特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
