特許
J-GLOBAL ID：200903047915458817

半導体装置とその製造方法

発明者：
石井 淳也

石井 淳也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300281
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110731
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 チップテスト時のプロービングによるボンディングパッド部のクラックの発生を防止すると共に、ボンディング時のパッド剥がれをなくすようにした半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 ボンディングバッド2を第1及び第2の配線層14、17を用いて形成した半導体装置の製造方法であって、前記第1の配線層14と第2の配線層17との間に、スリット状の溝を複数並べて設け、この溝内に、前記第1の配線層14と第2の配線層17とを接続する接続部15を形成すると共に、前記接続部15の長手方向H1と前記ボンディングバッド2に接触せしめるプローブ3の当接方向H2とを一致せしめたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ボンディングバッドを第1及び第2の配線層を用いて形成した半導体装置であって、前記第1の配線層と第2の配線層との間に、スリット状の溝を複数並べて設け、この溝内に、前記第1の配線層と第2の配線層とを接続する第1の接続部と、この第1の接続部を挟むように設けられた第2及び第3の接続部とを形成すると共に、前記第1の接続部と第2の接続部とが第1のブリッジ接続部と第2のブリッジ接続部とで接続され、前記第1のブリッジ接続部と第2のブリッジ接続部との間に設けられた第3のブリッジ接続部で、前記第1の接続部と第3の接続部とが接続されるように構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 301 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/3205
FI (3件)：
H01L 21/60 301 P ,  H01L 21/66 E ,  H01L 21/88 T
Fターム (16件)：
4M106AA02 ,  4M106AA11 ,  4M106AD03 ,  5F033HH07 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK07 ,  5F033MM22 ,  5F033NN33 ,  5F033PP06 ,  5F033VV07 ,  5F033XX14 ,  5F033XX17 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE07 ,  5F044EE12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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