特許
J-GLOBAL ID：200903047916466139
半導体レーザ治療器および半導体レーザ治療器用半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219430
公開番号（公開出願番号）：特開平6-063165
出願日： 1992年08月18日
公開日（公表日）： 1994年03月08日
要約：
【要約】【目的】 安全性が高く、かつ、従来と変わらない効果を発揮する半導体レーザ治療器を実現する。【構成】 尖頭出力1W以上、持続時間100ns以下の高出力パルス半導体レーザを用い、患部あるいはツボを刺激する。この半導体レーザは活性層に量子井戸構造を取り入れたInGaAsP、または、AlGaAs半導体であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
尖頭出力1W以上、持続時間100ns以下のパルス化された高出力半導体レーザの光を患部、または、経穴(ツボ)に照射することによって治療効果を得ることを特徴とする半導体レーザ治療器。
IPC (3件)：
A61N 5/06
, A61B 17/36 350
, H01S 3/18
