特許
J-GLOBAL ID：200903047916652633
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-291612
公開番号（公開出願番号）：特開2008-108973
出願日： 2006年10月26日
公開日（公表日）： 2008年05月08日
要約：
【課題】偏光比の高い光を取り出し可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体発光素子1は、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体積層構造3と、アノード電極4と、カソード電極6と、吸収層7とを備えている。基板2は、GaN単結晶からなり、基板2の主面は、無極性面であるm面で構成されている。窒化物半導体積層構造3は、光を発光可能な活性層12を含み、GaN層、InGaN層及びAlGaN層からなる。吸収層7は、活性層12で発光された光のうち光取出方向Aとは反対方向または水平方向に進行する光を吸収するためのものであって、SiNからなる。吸収層7は、基板2の底面2a及び側面2bと、窒化物半導体積層構造3の側面3aの一部と、アノード電極4の側面4bの一部とを覆うように形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光を発光可能な活性層を含む窒化物半導体積層構造を備えた半導体発光素子において、
前記窒化物半導体積層構造の主面が、略無極性面又は略半極性面であり、
前記活性層により発光された光が取り出される光取出面とは反対側の面には、光を吸収するための吸収層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA14
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CB16
