特許

J-GLOBAL ID：200903047919365902

ポジ型フオトレジスト組成物

発明者： 上西 一也 ,  河辺 保雅 ,  小久保 忠嘉
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-199843
公開番号（公開出願番号）：特開平5-019466
出願日： 1991年07月16日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 特に半導体デバイスの製造において、(1) 高い解像力を有するポジ型フオトレジスト組成物、(2) フオトマスク線幅の広い範囲にわたってマスク寸法を正確に再現するポジ型フオトレジスト組成物、(3) 1μm以下の線幅のパターンにおいて、高いアスペクト比を有する断面形状のレジストパターンを生成し得るポジ型フオトレジスト組成物、(4) パターン断面の側壁が垂直に近い形状のパターンを生成し得るポジ型フオトレジスト組成物、(5) 広い現像ラチチユードを有するポジ型フオトレジスト組成物、(6) 得られるレジスト像が耐熱性に優れるポジ型フオトレジスト組成物、を提供する。【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/または-4-)スルホニルクロリドを反応させて得られる感光物、及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有する。【化1】

請求項（抜粋）：

下記一般式(I)で表されるポリヒドロキシ化合物と1,2-ナフトキノンジアジド-5-(及び/または-4-)スルホニルクロリドを反応させて得られる感光物、及びアルカリ可溶性ノボラツク樹脂を含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R1:単結合、C1〜C10の置換もしくは非置換アルキレン基、もしくは【化2】(X:単結合、C1〜C4のアルキレン基)R2,R3:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基、置換もしくは非置換アラルキル基、置換もしくは非置換アルコキシ基、置換もしくは非置換アリールオキシ基、置換もしくは非置換アラルキルオキシ基、置換もしくは非置換アシル基、置換もしくは非置換アシロキシ基、-N(-R7,-R8)基(R7,R8:H,C1〜C4のアルキル基)もしくは【化3】(R9:C1〜C4のアルキル基、アルコキシ基、アシル基、アシロキシ基、ニトロ基もしくはハロゲン原子)但し、R2,R3の一方が置換もしくは非置換アリール基の場合、他方はH以外の基である。R4〜R6:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、置換もしくは非置換アルキル基、置換もしくは非置換アリール基、置換もしくは非置換アラルキル基、置換もしくは非置換アルコキシ基、置換もしくは非置換アリールオキシ基、置換もしくは非置換アラルキルオキシ基、置換もしくは非置換アシル基、置換もしくは非置換アシロキシ基、もしくは-N(-R7,-R8)基(R7,R8:H,C1〜C4のアルキル基)l〜q:0もしくは1〜3の整数、但し、1≦(l+m+n)≦9。

IPC (3件)：

G03F 7/023 501 ,  G03F 7/023 511 ,  H01L 21/027