特許

J-GLOBAL ID：200903047924489342

薄膜トランジスタと液晶表示装置用基板および薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 蛇口 広行
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-258637
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112486
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、半導体層にバックライトなどからの光が入射しない構造として半導体層のリーク電流を抑え、薄膜トランジスタのオフ電流を低くできるとともに、スイッチングノイズの原因となる寄生容量を小さくすることができるものを提供することを目的とする。【構成】 本発明は、透明基板上にゲート電極が形成され、透明基板上面とゲート電極とを覆って絶縁層が形成され、絶縁層上に半導体層が形成され、半導体層上に隣接された対向状態でソース電極およびドレイン電極が形成されてなり、前記ゲート電極上方の絶縁層の上面がゲート電極の形成されていない部分の絶縁層の上面よりも低く形成されてなるものである。【効果】 本願発明により、半導体層に不要な光電流が生じることがなく、薄膜トランジスタのオフ電流が従来構造よりも低くなるので、薄膜トランジスタを駆動する場合のオン電流とオフ電流の比、即ち、オンオフ比が向上する。

請求項（抜粋）：

透明基板上にゲート電極が形成され、透明基板上面とゲート電極とを覆って絶縁層が形成され、絶縁層上に半導体層が形成され、半導体層上に隣接された対向状態でソース電極およびドレイン電極が形成されてなり、前記ゲート電極上方の前記絶縁層の上面がゲート電極の形成されていない部分の絶縁層の上面よりも低く形成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-067780
  
• 特開昭58-016570
  
• 特開昭62-213165