特許

J-GLOBAL ID：200903047928507906

電力用半導体デバイス

発明者： ライナルト ザンダー ,  アルフオンス グラーフ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-265228
公開番号（公開出願番号）：特開平9-129881
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも1つのセル領域3、8、9に配置されている多数の互いに並列に接続されているトランジスタセル2を有する半導体基体1を有し、電界効果により制御可能な電力用半導体デバイスを、過負荷による破壊の確率が著しく減ぜられるように改良する。【解決手段】 半導体基体1に集積され半導体基体上の互いに異なる個所に配置されている少なくとも2つの温度センサ4、5を設ける。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つのセル領域(3、8、9)に配置されている多数の互いに並列に接続されているトランジスタセル(2)を有する半導体基体(1)を備え、この半導体基体に集積され半導体基体上の互いに異なる個所に配置されている少なくとも2つの温度センサ(4、5)を有することを特徴とする電界効果により制御可能な電力用半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 29/78 ,  G01K 7/01 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H01L 29/78 657 Z ,  G01K 7/00 391 C ,  H01L 27/04 A ,  H01L 27/06 101 P