特許
J-GLOBAL ID:200903047930032206

半導体式圧力センサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊藤 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-328792
公開番号(公開出願番号):特開平10-170367
出願日: 1996年12月09日
公開日(公表日): 1998年06月26日
要約:
【要約】【課題】 台座の高さを高くすることなく、基台からの熱歪みの影響を緩和し、かつ熱ヒステリシスによる影響を安定して低減する。【解決手段】 ダイヤフラム1aを有するセンサチップ1を固定するガラス台座3を、エポキシ樹脂からなる基台5にシリコン系の接着剤6によって接着し、接着剤6の厚さを40μm以上にした。また、接着剤6の厚さを40μm以上にするために、接着剤6の中にミクロビーズ7を混入した。
請求項(抜粋):
圧力を受けて変位するダイヤフラム(1a)が形成され、このダイヤフラムの変位を検出する歪みゲージ(2)を有するセンサチップ(1)と、このセンサチップを固定する台座(3)とを備え、前記台座が、樹脂材料からなる基台(5)に樹脂接着剤(6)によって接着されてなる半導体式圧力センサであって、前記樹脂接着剤の厚さを40μm以上にしたことを特徴とする半導体式圧力センサ。
IPC (2件):
G01L 9/04 101 ,  G01L 19/04
FI (2件):
G01L 9/04 101 ,  G01L 19/04
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 半導体圧力センサ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-340809   出願人:富士電機株式会社
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-189711   出願人:日本電装株式会社

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