特許

J-GLOBAL ID：200903047930824528

光磁気記録媒体

発明者： 古田 正寛
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102237
公開番号（公開出願番号）：特開平10-293949
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 再生ビーム強度を低く抑えた、C/N値が高く、記録速度が速く、高密度記録された情報を確実に再生できるダブルマスクタイプMSR再生可能な光磁気記録媒体と、上記の特徴に加えて光変調オーバーライト可能な光磁気記録媒体と、更に、上記の各光磁気記録媒体の再生方法を提供する。【解決手段】 情報を再生するための垂直磁化した再生層と、室温では面内磁化で再生レベルのビーム照射によりビームスポット内で部分的に垂直磁化する再生中間層と、 情報を記録するための垂直磁化したメモリー層との少なくとも3層の磁性層からなる光磁気記録媒体において、再生中間層は、主成分としてのGdFeまたはGdFeCoと、添加物としての希土類金属からなり、再生中間層のキュリー温度は、主成分としてのGdFeまたはGdFeCoのキュリー温度よりも低いことを特徴とする光磁気記録媒体とする。

請求項（抜粋）：

情報を再生するための垂直磁化した再生層と、室温では面内磁化で再生レベルのビーム照射によりビームスポット内で部分的に垂直磁化する再生中間層と、情報を記録するための垂直磁化したメモリー層との少なくとも3層の磁性層からなる光磁気記録媒体において、前記再生中間層は、主成分としてのGdFeまたはGdFeCoと、添加物としての希土類金属からなり、前記再生中間層のキュリー温度は、前記主成分としてのGdFeまたはGdFeCoのキュリー温度よりも低いことを特徴とする光磁気記録媒体。

IPC (2件)：

G11B 11/10 506 ,  G11B 11/10 586

FI (2件)：

G11B 11/10 506 A ,  G11B 11/10 586 C